Understanding SiC Mosfet reliability issues under harsh environment switching conditions remains a challenge English

This paper presents the performances of SiC MOSFETs for high temperature applications. A complete static and dynamic electrical characterization of SiC MOSFETs dice has been performed under varying temperature from +25°C to +250°C using suitable packaging materials. The results allow evaluating the performances of a PWM three phased power inverter in high temperature environment. To go further, aging tests have been performed to evaluate lifetime of SiC MOSFET under power switching condition up to +300°C.

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La revue Ingénieurs de l’Auto est maintenant diffusée en print et on line. Une grande première pour la SIA avec ce numéro 865, disponible au format numérique.

Cette version digitale sera, à chaque numéro, réservée aux membres de la SIA abonnés.

Exceptionnellement pour ce premier numéro on line, et en lien avec la situation de confinement et de télétravail de beaucoup d’ingénieurs de notre industrie, la version digitale du numéro de Mai est accessible à tous.

 

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