Next level Silicon, SiC and GaN – a balanced view on future power semiconductor switches English Free Members only

  • Category Technical paper
  • Edition SIA
  • Date 04/14/2015
  • Author Frank WOLTER, Roland RUPP, Oliver HÄBERLEN - Infineon
  • Language English
  • Type PDF file (517.03 Ko)
    (Downloadable immediately on receipt of online payment)
  • Code R-2015-05-13
  • Fee Free

Power semiconductor switches for automotive applications range from 400 to 1200V. While this voltage range nowadays is governed by Si-based IGBT and freewheeling diodes, wide bandgap switches on silicon carbide (SiC) and gallium nitride (GaN) due to superior electrical parameters are considered as candidates to take this place in the future. The pressure arising from these new materials, which offer new system optimizations based on new trade-off options, lead to recent progress in the Si world. In this paper, a new generation of automotive IGBTs is introduced and fields of improvement for the adaption of current topologies to make best use of the IGBT properties are proposed. This new generation will bridge the time until continuous and thorough work will have exploited the full performance, quality and price targets for the wide bandgap solutions.

INGENIEURS DE L'AUTO SE DIGITALISE

 

 

La revue Ingénieurs de l’Auto est maintenant diffusée en print et on line. Une grande première pour la SIA avec ce numéro 865, disponible au format numérique.

Cette version digitale sera, à chaque numéro, réservée aux membres de la SIA abonnés.

Exceptionnellement pour ce premier numéro on line, et en lien avec la situation de confinement et de télétravail de beaucoup d’ingénieurs de notre industrie, la version digitale du numéro de Mai est accessible à tous.

 

DÉCOUVRIR LA REVUE