Silicon Carbide Devices for Higher Efficiency Electric Vehicle Applications English

  • Catégorie Article technique
  • Édition SIA
  • Date 03/04/2013
  • Auteur J.W. Palmour - Cree
  • Langue Anglais
  • Format Fichier PDF (6.31 Mo)
    (livraison exclusivement par téléchargement)
  • Nombre de pages 6
  • Code R-2013-01-27
  • Prix de 8.00 € à 10.00 €

Silicon Carbide (SiC) power devices are now reaching the power levels required to enable highly efficient and compact motor drives, with SiC

Schottky diodes and MOSFETs now available in the 50 A range. SiC power modules in the 100 A range have been introduced, and 1200V, 880 A modules have successfully passed simulated testing of 11,783 miles on a road course. SiC based battery chargers are also receiving attention, with a high power density of 5627 W/L being demonstrated.

 

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