- Catégorie Article technique
- Évènement lié International Congress : APE Automotive Power Electronics - 14 & 15 April 2015
- Édition SIA
- Date 14/04/2015
- Auteur G. Peyresoubes, S. Ogé - Thales Microelectronics
- Langue Anglais
-
Format Fichier PDF (328 Ko)
(livraison exclusivement par téléchargement) - Nombre de pages 10
- Code R-2015-05-35
- Prix de 8.00 € à 10.00 €
This paper presents the performances of SiC MOSFETs for high temperature applications. A complete static and dynamic electrical characterization of SiC MOSFETs dice has been performed under varying temperature from +25°C to +250°C using suitable packaging materials. The results allow evaluating the performances of a PWM three phased power inverter in high temperature environment. To go further, aging tests have been performed to evaluate lifetime of SiC MOSFET under power switching condition up to +300°C.
Commander
La livraison des recueils de congrès et des revues est effectuée par courrier.
Les fichiers pdf sont téléchargeables immédiatement après paiement en ligne. Ils doivent faire l'objet d'une commande séparée.